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簡(jiǎn)要描述：砷化銦探測(cè)器（制冷型）? 砷化銦探測(cè)器（InAs）———近紅外探測(cè)器 波長(zhǎng) 范圍：1-3.8μm? DT-InAs3800和DInAs3800-TE兩種型號(hào)，其中：? DT-InAs3800內(nèi)裝進(jìn)口常溫型探測(cè)元件；? DT-InAs3800-TE內(nèi)裝進(jìn)口TE制冷型探測(cè)元件。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-11-08訪 問(wèn) 量：926產(chǎn)品中心
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| 品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),農(nóng)業(yè),地礦 |
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砷化銦探測(cè)器（制冷型）
• 砷化銦探測(cè)器（InAs）———近紅外探測(cè)器 波長(zhǎng) 范圍：1-3.8μm
• DT-InAs3800和DInAs3800-TE兩種型號(hào)，其中：
• DT-InAs3800內(nèi)裝進(jìn)口常溫型探測(cè)元件；
• DT-InAs3800-TE內(nèi)裝進(jìn)口TE制冷型探測(cè)元件。
型號(hào)/參數(shù) | DT-InAs3800 | DT-InAs3800-TE |
光敏面直徑(mm) | 2 | 2 |
波長(zhǎng)范圍(μm) | 1-3.8 | 1-3.8 |
峰值響應(yīng)度(A/W) | 0.8 | 1.5 |
D*(@λpeak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 | 2.5×109 | 9.1×1012 |
NEP(@λpeak,1KHz)pW/Hz1/2 | 71 | 4.4 |
溫控器型號(hào) | - | ZTC-2 |
探測(cè)器溫度(℃) | 室溫 | -40 |
溫度穩(wěn)定度(℃) | - | ±0.5 |
信號(hào)輸出模式 | 電流 | 電流 |
輸出信號(hào)極性 | 正（P） | 正（P） |
制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC） |
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推薦使用前置放大器 |
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砷化銦探測(cè)器（制冷型）
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