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SIRM是非接觸和非破壞型光學(xué)檢測(cè)設(shè)備,對(duì)體微缺陷,如氧化物和金屬沉淀,位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò),體材料中的滑線和空隙等進(jìn)行測(cè)試。 這個(gè)技術(shù)也可對(duì)GaAs 和 InP等復(fù)合材料進(jìn)行測(cè)試。
LST是檢測(cè)半導(dǎo)體材料的體微缺陷有力工具,通過CCD相機(jī),對(duì)入射光在樣品邊沿的散射進(jìn)行掃描,獲得體微缺陷分布信息。
LEIModel1605,是非接觸遷移率測(cè)試系統(tǒng),可對(duì)各種半導(dǎo)體材料和器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試。無需制樣,消除了樣品制備引起的遷移率變化。
LEI88 是針對(duì)科研類客戶開發(fā)的產(chǎn)品,具備非接觸快速測(cè)試方塊電阻和電導(dǎo)率功能。
非接觸Hal和方塊電陽測(cè)試系統(tǒng),可對(duì)GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各種半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試。
SRP 測(cè)試系統(tǒng),采用擴(kuò)展電阻率技術(shù)(SRP),對(duì)載流子濃度和電阻率隨深度的變化做快速測(cè)試。
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